高新技術(shù)
問題
理想情況下，硅內(nèi)部的溫度分布最受關(guān)注，但不實際. 通常測量硅的上表面液面溫度，但加熱器的雜散輻射會影響測量.在籽晶輔助生長工藝中，通常測量坩堝的底部溫度。希望通過測量坩堝盡可能地接近放置種子/種子的底層溫度。由于坩堝通常由石英制成并涂有Si3N4 , 因此需要對石英和 Si3N4 的光學(xué)特性有很好的了解。
方案
提供解決方案如下:
測量封閉管內(nèi)的溫度. 高溫計測量的是與爐子內(nèi)部環(huán)境達(dá)到熱平衡盲管的最底部溫度。
通過開口管測量熔融硅的溫度. 精心設(shè)計的光學(xué)鏡頭可最大程度地減少加熱器的影響，確保溫度讀數(shù)與頂部加熱器的溫度沒有很大關(guān)系。
通過坩堝底部測量來推斷籽晶層溫度. LumaSense高溫計經(jīng)過優(yōu)化，可獲得最最接近的籽晶層溫度.
客戶獲益
提高產(chǎn)量
更高質(zhì)量
